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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3871 | MOTOROLA |
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Silicon Controlled Rectifiers(Reverse Blocking Triode Thyristors) |
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| 2N3871 | POWEREX |
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Silicon Controlled Rectifier, 11000mA I(T), 200V V(DRM), |
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| 2N3872 | MOTOROLA |
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Silicon Controlled Rectifiers(Reverse Blocking Triode Thyristors) |
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| 2N3872 | POWEREX |
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Silicon Controlled Rectifier, 11000mA I(T), 400V V(DRM), |
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| 2N3873 | MOTOROLA |
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Silicon Controlled Rectifiers(Reverse Blocking Triode Thyristors) |
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| 2N3873 | NJSEMI |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
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| 2N3873 | POWEREX |
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Silicon Controlled Rectifier, 11000mA I(T), 600V V(DRM), |
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| 2N3876 | ETC |
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NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
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| 2N3877 | CDIL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-9 |
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| 2N3877A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 85V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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