2N3866UB

更新时间： 2024-11-27 12:50:07

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
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NPN SILICON HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR

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2N3866UB 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.02	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.4 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-CDSO-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N3866UB 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland

Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298

NPN SILICON

HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/398

DEVICES

LEVELS

JAN

2N3866

2N3866UB

2N3866A

2N3866AUB

JANTX

JANTXV

JANS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Collector-Emitter Voltage

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Vdc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Vdc

305

400

Vdc

mAdc

Total Power Dissipation

@ T_A= +25°C

2N3866, A

2N3866UB / AUB

1.0

0.5

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

T_j, T_stg

R_θJC

-65 to +200

60.0

°C

TO-39 (TO-205AD)

2N3866, 2N3866A

Thermal Resistance, Junction-to-Case

°C/W

NOTE:

1. Derate linearly 5.71mW/°C (2N3866, 2N3866A) and 3.08mW/°C (2N3866UB /

2N3866AUB) above T_A> +25°C

2. T_A= room ambient as defined in the general requirements of MIL-PRF-19500

3. P_T= 2.9W at T_C= +25°C, derate at 16.6mW/°C above T_C> +25°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERTICS

UB Package

2N3866UB, 2N3866AUB

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 5.0mAdc

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CEO

Vdc

Collector-Base Breakdown Voltage

I_C= 100µAdc

Emitter-Base Breakdown Voltage

I_E= 100µAdc

3.5

Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

μAdc

_CE= 28Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 55Vdc

I_CES1

100

T4-LDS-0175 Rev. 1 (101096)

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