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NTE311

更新时间： 2024-11-09 22:50:55
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NTE 晶体驱动器晶体管倍频器
页数 文件大小 规格书
2页 24K
描述
Silicon NPN Transistor Frequency Multiplier, Driver, VHF/UHF

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NTE311 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-39
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：2.15外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.4 A基于收集器的最大容量：3 pF
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：TO-39JESD-30 代码：O-MBCY-W3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：5 W最大功率耗散 (Abs)：5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：800 MHz
Base Number Matches：1

NTE311 数据手册

 浏览型号NTE311的Datasheet PDF文件第2页 
NTE311  
Silicon NPN Transistor  
Frequency Multiplier, Driver, VHF/UHF  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
Collectore–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mA  
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28.6mW/°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
OFF Characteristics  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 5mA, R = 10Ω  
55  
30  
3.5  
––  
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
V
V
CER(sus)  
C
BE  
V
I = 5mA, I = 0  
C B  
CEO(sus)  
V
I = 100µA, I = 0  
F C  
(BR)EBO  
I
V
CE  
V
CE  
V
CE  
V
BE  
= 28V, I = 0  
0.02 mA  
CEO  
B
I
= 30V, V = –1.5V, T = +200°C  
5.0  
0.1  
0.1  
mA  
mA  
mA  
CEX  
BE  
C
= 55V, V = –1.5V  
–
BE  
Emitter Cutoff Current  
ON Characteristics  
I
= 3.5V, I = 0  
–
EBO  
C
DC Current Gain  
h
I = 50mA, V = 5V  
25  
–
–
–
200  
1.0  
–
FE  
C
CE  
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Small–Signal Characteristics  
Current–Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
V
I = 100mA, I = 20mAQ  
V
CE(sat)  
C
B
f
I = 50mA, V = 15V, f = 200MHz  
800  
–
–
–
–
MHz  
pF  
T
C
CE  
C
obo  
V
CB  
= 28V, I = 0, f = 1MHz  
3.0  
E
Functional Test  
Amplifier Power Gain  
G
V
V
= 28V, P  
= 20V, P  
= 1W, f = 400MHz  
= 1W, f = 400MHz  
10  
45  
–
–
–
–
dB  
%
pe  
CC  
OUT  
Collector Efficiency  
h
CC  
OUT  
12

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