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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.36 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 140 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-30 代码： | R-CDSO-N3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3635 | MICROSEMI |
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PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
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| 2N3635 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N3635 | NJSEMI |
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SI PNP POWER BJT |
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| 2N3635 | SEME-LAB |
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PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2N3635 | BOCA |
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GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (PNP SILICON) |
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| 2N3635E3 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD |
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| 2N3635L | ONSEMI |
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TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal |
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| 2N3635L | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
|
| 2N3635LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, T |
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| 2N3635UB | MICROSEMI |
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RADIATION HARDENED |
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