2N3634UB

更新时间： 2024-01-17 23:22:31

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管开关
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5页	228K
描述
RADIATION HARDENED

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2N3634UB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.36
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	140 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-CDSO-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N3634UB 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

RADIATION HARDENED

PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/357

DEVICES

LEVELS

JANSM – 3K Rads (Si)

JANSD – 10K Rads (Si)

JANSP – 30K Rads (Si)

JANSL – 50K Rads (Si)

JANSR – 100K Rads (Si)

2N3634

2N3634L

2N3634UB

2N3635

2N3635L

2N3635UB

2N3636

2N3636L

2N3636UB

2N3637

2N3637L

2N3637UB

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

2N3634* 2N3636*

2N3635* 2N3637*

Parameters / Test Conditions

Collector-Emitter Voltage

Symbol

Unit

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

140

5.0

175

5.0

Vdc

Adc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

TO-5*

Collector Current

1.0

2N3634L, 2N3635L

2N3636L, 2N3637L

Total Power Dissipation

@ T_A= +25°C

@ T_C= +25°C

1.0

5.0

1.5

P_T**

UB: @ T_C= +25°C

Operating & Storage Junction Temperature

Range

T_J, T_stg

-65 to +200

°C

* Electrical characteristics for “L” suffix devices are identical to the “non L” corresponding

devices.

** Consult 19500/357 for De-Rating curves.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

Min.

Max.

Unit

TO-39* (TO-205AD)

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10mAdc

V_(BR)CEO

Vdc

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

140

175

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 100Vdc

ηAdc

μAdc

100

I_CBO

_CB= 140Vdc

_CB= 175Vdc

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

3 PIN

2N3634UB, 2N3635UB

2N3636UB, 2N3637UB

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 3.0Vdc

I_EBO

ηAdc

μAdc

_EB= 5.0Vdc

Collector-Emitter cutoff Current

V_CE= 100Vdc

I_CEO

μAdc

T4-LDS-0065 Rev. 2 (100377)

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