2N3637

更新时间： 2024-11-30 22:35:51

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美高森美 - MICROSEMI		晶体放大器小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	61K
描述
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

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2N3637 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.03
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	175 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-205AD
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2N3637 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 357

Devices

Qualified Level

JAN

2N3634

2N3635

2N3636

2N3637

JANTX

2N3634L

2N3635L

2N3636L

2N3637L

JANTXV

JANS

MAXIMUM RATINGS

Ratings

2N3634* 2N3636*

2N3635* 2N3637*

Symbol

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

140

175

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

TO-39* (TO-205AD)

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

140

175

5.0

1.0

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C⁽¹⁾

@ T_C= +25⁰C⁽²⁾

1.0

5.0

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_J_,T

stg

*Electrical characteristics for “L” suffix devices are identical to the “non L” corresponding devices

1) Derate linearly 5.71 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

TO-5*

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

2) Derate linearly 28.6 mW/⁰C for T_C> +25⁰C

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Current

I_C= 10 mAdc

140

175

Vdc

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

V_(BR)

CEO

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 100 Vdc

V_CB= 140 Vdc

hAdc

mAdc

I_CBO

100

2N3634, 2N3635

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 3.0 Vdc

V_EB= 5.0 Vdc

hAdc

mAdc

I_EBO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 100 Vdc

I_CEO

mAdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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2N3637 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTX2N3637	MICROSEMI	完全替代	PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
2N3637L	MICROSEMI	类似代替	PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N3637_08	SEME-LAB	获取价格	PNP SILICON TRANSISTOR
2N3637CSM	SEME-LAB	获取价格	PNP SILICON TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH REL
2N3637CSM_08	SEME-LAB	获取价格	PNP SILICON TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH REL
2N3637DCSM	SEME-LAB	获取价格	DUAL PNP SILICON TRANSISTORS
2N3637L	MICROSEMI	获取价格	PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
2N3637L	ONSEMI	获取价格	TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
2N3637LE3	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 175V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, TO
2N3637UB	MICROSEMI	获取价格	RADIATION HARDENED
2N3637UBE3	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 175V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC
2N3638	NJSEMI	获取价格	PNP HIGH CURRENT SWITCHES

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