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2N3637LE3

更新时间： 2024-12-01 14:47:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 169K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 175V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN

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2N3637LE3 技术参数

生命周期：Active包装说明：TO-5, 3 PIN
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.62
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：175 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
JEDEC-95代码：TO-5JESD-30 代码：O-MBCY-W3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N3637LE3 数据手册

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TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland  
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298  
PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/357  
DEVICES  
LEVELS  
JAN  
2N3634  
2N3635  
2N3636  
2N3637  
2N3634L  
2N3634UB  
2N3635L  
2N3635UB  
2N3636L  
2N3636UB  
2N3637L  
2N3637UB  
JANTX  
JANTXV  
JANS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
2N3634* 2N3636*  
2N3635* 2N3637*  
Parameters / Test Conditions  
Collector-Emitter Voltage  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
140  
140  
5.0  
1.0  
175  
175  
5.0  
1.0  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
TO-5*  
Collector Current  
2N3634L, 2N3635L  
2N3636L, 2N3637L  
Total Power Dissipation  
@ TA = +25°C  
@ TC = +25°C  
@ TC = +25°C  
1.0  
5.0  
1.5  
W
W
W
PT **  
UB:  
Operating & Storage Junction Temperature Range  
TJ, Tstg  
-65 to +200  
°C  
* Electrical characteristics for “L” suffix devices are identical to the “non L” corresponding  
devices.  
** Consult 19500/357 for De-Rating curves.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
OFF CHARACTERTICS  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
TO-39* (TO-205AD)  
2N3634, 2N3635  
2N3636, 2N3637  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 10mAdc  
V(BR)CEO  
Vdc  
2N3634, 2N3635  
2N3636, 2N3637  
140  
175  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 100Vdc  
ηAdc  
μAdc  
μAdc  
100  
10  
10  
ICBO  
V
V
CB = 140Vdc  
CB = 175Vdc  
2N3634, 2N3635  
2N3636, 2N3637  
3 PIN  
2N3634UB, 2N3635UB  
2N3636UB, 2N3637UB  
Emitter-Base Cutoff Current  
EB = 3.0Vdc  
VEB = 5.0Vdc  
V
50  
10  
ηAdc  
μAdc  
IEBO  
Collector-Emitter cutoff Current  
ICEO  
10  
μAdc  
V
CE = 100Vdc  
T4-LDS-0156 Rev. 2 (101452)  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N3637UB MICROSEMI

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 		RADIATION HARDENED
2N3637UBE3 MICROSEMI

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 175V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC
2N3638 NJSEMI

获取价格

 		PNP HIGH CURRENT SWITCHES
2N3638/D10Z TI

获取价格

 		25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N3638/D10Z-18 TI

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 		25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N3638/D10Z-5 TI

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 		25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
2N3638/D10Z-J14Z TI

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 		25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
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 		25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N3638/D11Z-18 TI

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 		25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3

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