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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3637_08 | SEME-LAB |
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PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2N3637CSM | SEME-LAB |
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PNP SILICON TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH REL |
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| 2N3637CSM_08 | SEME-LAB |
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PNP SILICON TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH REL |
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| 2N3637DCSM | SEME-LAB |
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DUAL PNP SILICON TRANSISTORS |
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| 2N3637L | MICROSEMI |
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PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
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| 2N3637L | ONSEMI |
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TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal |
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| 2N3637LE3 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 175V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, TO |
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| 2N3637UB | MICROSEMI |
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RADIATION HARDENED |
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| 2N3637UBE3 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 175V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC |
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| 2N3638 | NJSEMI |
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PNP HIGH CURRENT SWITCHES |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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