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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 175 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3636LE3 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 175V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, TO |
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| 2N3636UB | MICROSEMI |
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RADIATION HARDENED |
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| 2N3637 | CENTRAL |
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PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2N3637 | SEME-LAB |
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PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2N3637 | BOCA |
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GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (PNP SILICON) |
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| 2N3637 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
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| 2N3637 | COMSET |
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SILICON PLANAR RF TRANSISTORS |
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| 2N3637 | NJSEMI |
获取价格 |
SI PNP POWER BJT |
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| 2N3637_08 | SEME-LAB |
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PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2N3637CSM | SEME-LAB |
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PNP SILICON TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH REL |
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