5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.39 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 175 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-30 代码： | R-CDSO-N3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3637 | CENTRAL |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N3637 | SEME-LAB |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N3637 | BOCA |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (PNP SILICON) |
|
| 2N3637 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
|
| 2N3637 | COMSET |
获取价格 |
SILICON PLANAR RF TRANSISTORS |
|
| 2N3637 | NJSEMI |
获取价格 |
SI PNP POWER BJT |
|
| 2N3637_08 | SEME-LAB |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N3637CSM | SEME-LAB |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH REL |
|
| 2N3637CSM_08 | SEME-LAB |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH REL |
|
| 2N3637DCSM | SEME-LAB |
获取价格 |
DUAL PNP SILICON TRANSISTORS |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
