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2N3637

更新时间： 2024-11-30 22:35:51
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 24K
描述
PNP SILICON TRANSISTOR

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2N3637 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：BCY
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.06
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：175 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JEDEC-95代码：TO-205AD
JESD-30 代码：O-MBCY-W3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHz最大关闭时间（toff）：600 ns
最大开启时间（吨）：400 nsBase Number Matches：1

2N3637 数据手册

 浏览型号2N3637的Datasheet PDF文件第2页 
2N3637  
MECHANICAL DATA  
Dimensions in mm (inches)  
PNP SILICON TRANSISTOR  
8
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8
4
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0
(
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0
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0
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2
2
4
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0
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)
FEATURES  
• High Voltage Switching  
• Low Power Amplifier Applications  
• Hermetic TO39 Package  
0
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8
9
a
m
x
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2
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m
i
n
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i
a
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APPLICATIONS:  
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4
2
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0
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1
0
0
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3
• General Purpose  
0
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0
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2
4
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0
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8
1
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(
(
0
0
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.
0
0
2
3
8
4
)
)
• High Speed Saturated Switching  
4
5
°
TO–39 METAL PACKAGE  
Underside View  
PIN 1 – Emitter  
PIN 2 – Base  
PIN 3 – Collector  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
V
V
V
Collector – Emitter Voltage  
Collector – Base Voltage  
Emmiter – Base Voltage  
Collector Current  
175V  
175V  
CEO  
CBO  
EBO  
5V  
I
1A  
C
P
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
1W  
D
D
A
Derate above 25°C  
5.71mW/ °C  
5W  
P
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
C
Derate above 25°C  
28.6mW / °C  
–65 to +200°C  
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
J
STG  
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
Prelim. 7/99  
12

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2N3637 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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