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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.11 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 175 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-39 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 600 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 200 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3636L | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
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| 2N3636L | ONSEMI |
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TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal |
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| 2N3636LE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 175V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, TO |
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| 2N3636UB | MICROSEMI |
获取价格 |
RADIATION HARDENED |
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| 2N3637 | CENTRAL |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2N3637 | SEME-LAB |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2N3637 | BOCA |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (PNP SILICON) |
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| 2N3637 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
|
| 2N3637 | COMSET |
获取价格 |
SILICON PLANAR RF TRANSISTORS |
|
| 2N3637 | NJSEMI |
获取价格 |
SI PNP POWER BJT |
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