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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 140 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 600 ns | 最大开启时间（吨）： | 200 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3635LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, T |
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| 2N3635UB | MICROSEMI |
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RADIATION HARDENED |
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| 2N3636 | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 |
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| 2N3636 | BOCA |
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GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (PNP SILICON) |
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| 2N3636 | MICROSEMI |
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PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
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| 2N3636 | COMSET |
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SILICON PLANAR RF TRANSISTORS |
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| 2N3636 | ONSEMI |
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175V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
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| 2N3636L | MICROSEMI |
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PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
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| 2N3636L | ONSEMI |
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TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal |
|
| 2N3636LE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 175V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, TO |
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