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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.81 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 140 V | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3635E3 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD |
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| 2N3635L | ONSEMI |
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TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal |
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| 2N3635L | MICROSEMI |
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PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
|
| 2N3635LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, T |
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| 2N3635UB | MICROSEMI |
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RADIATION HARDENED |
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| 2N3636 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 |
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| 2N3636 | BOCA |
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GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (PNP SILICON) |
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| 2N3636 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
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| 2N3636 | COMSET |
获取价格 |
SILICON PLANAR RF TRANSISTORS |
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| 2N3636 | ONSEMI |
获取价格 |
175V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
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