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2N3634LEADFREE

更新时间： 2024-12-01 21:17:55
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 504K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN

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2N3634LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-39
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.09
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：140 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JEDEC-95代码：TO-39JESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHz最大关闭时间（toff）：600 ns
最大开启时间（吨）：400 nsBase Number Matches：1

2N3634LEADFREE 数据手册

 浏览型号2N3634LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
2N3634  
2N3635  
www.centralsemi.com  
SILICON  
PNP TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3634 and 2N3635  
are silicon PNP epitaxial planar transistors designed for  
general purpose switching and amplifier applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-39 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
V
V
V
140  
140  
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
5.0  
I
1.0  
A
C
P
1.0  
W
D
D
Power Dissipation (T =25°C)  
C
P
5.0  
W
Operating and Storage Junction Temperature  
T , T  
-65 to +200  
175  
°C  
J
stg  
Thermal Resistance  
Θ
°C/W  
°C/W  
JA  
JC  
Thermal Resistance  
Θ
35  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
V
=100V  
100  
nA  
CBO  
CB  
I
V
=3.0V  
50  
nA  
V
EBO  
EB  
BV  
BV  
BV  
I =100μA  
140  
140  
5.0  
CBO  
C
I =10mA  
V
CEO  
C
I =10μA  
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.3  
0.5  
0.8  
0.9  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
V
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
V
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
0.65  
150  
200  
V
C
B
f
f
V
=30V, I =30mA, f=100MHz (2N3634)  
MHz  
MHz  
pF  
pF  
dB  
ns  
ns  
T
CE  
CE  
CB  
EB  
CE  
CC  
C
V
V
V
V
V
=30V, I =30mA, f=100MHz (2N3635)  
T
C
C
=20V, I =0, f=1.0MHz  
10  
75  
ob  
ib  
E
C
=1.0V, I =0, f=1.0MHz  
C
NF  
=10V, I =0.5mA, R =1.0kΩ, f=1.0kHz  
3.0  
400  
600  
C
S
t
t
=100V, V =4.0V, I =50mA  
on  
off  
BE  
C
I
=I =5.0mA  
B1 B2  
R1 (17-September 2013)  
12

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