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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-261AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 17 weeks | 风险等级： | 2.27 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 550 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.675 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-261AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZXMS6003 | ZETEX |
获取价格 |
60V N-channel self protected enhancement mode IntelliFET MOSFET with programmable current |
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| ZXMS6003G | ZETEX |
获取价格 |
60V N-channel self protected enhancement mode IntelliFET MOSFET with programmable current |
|
| ZXMS6003G | DIODES |
获取价格 |
60V N-channel self protected enhancement mode |
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| ZXMS6003GQTA | DIODES |
获取价格 |
暂无描述 |
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| ZXMS6003GTA | ZETEX |
获取价格 |
60V N-channel self protected enhancement mode IntelliFET MOSFET with programmable current |
|
| ZXMS6003GTA | DIODES |
获取价格 |
60V N-channel self protected enhancement mode |
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| ZXMS6003TA | ZETEX |
获取价格 |
Transistor |
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| ZXMS6004DG | DIODES |
获取价格 |
60V N-channel self protected enhancement mode |
|
| ZXMS6004DGQ | DIODES |
获取价格 |
60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET |
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| ZXMS6004DGQ-13 | DIODES |
获取价格 |
60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET |
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