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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.61 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZXMS6004FFTA | DIODES |
获取价格 |
60V N-channel self protected enhancement mode Intellifet MOSFET |
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| ZXMS6004N8 | DIODES |
获取价格 |
60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET |
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| ZXMS6004N8-13 | DIODES |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| ZXMS6004N8Q | DIODES |
获取价格 |
60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET |
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| ZXMS6004N8Q-13 | DIODES |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| ZXMS6004SG | DIODES |
获取价格 |
60V N-channel self protected enhancement mode |
|
| ZXMS6004SGQ | DIODES |
获取价格 |
60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET |
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| ZXMS6004SGQTA | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
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| ZXMS6005DG | DIODES |
获取价格 |
60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE |
|
| ZXMS6005DGQ | DIODES |
获取价格 |
60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE |
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