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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> ZXMS6004FFQTA
ZXMS6004FFQTA PDF预览

ZXMS6004FFQTA

更新时间： 2024-09-15 13:16:15
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES /
页数 文件大小 规格书
10页 473K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor,

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ZXMS6004FFQTA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.61
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏源导通电阻：0.6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

ZXMS6004FFQTA 数据手册

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A Product Line of  
Diodes Incorporated  
ZXMS6004DG  
60V N-channel self protected enhancement mode  
Intellifet MOSFET  
Summary  
Continuous drain source voltage  
On-state resistance  
60 V  
500 mΩ  
1.3 A  
Nominal load current (V = 5V)  
IN  
Clamping energy  
490mJ  
Description  
The ZXMS6004DG is a self protected low side MOSFET with logic level  
input. It integrates over-temperature, over-current, over-voltage (active  
clamp) and ESD protected logic level functionality. The ZXMS6004DG is  
ideal as  
a general purpose switch driven from 3.3V or 5V  
microcontrollers in harsh environments where standard MOSFETs are  
not rugged enough.  
Features  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Compact high power dissipation package  
Low input current  
Logic Level Input (3.3V and 5V)  
Short circuit protection with auto restart  
Over voltage protection (active clamp)  
Thermal shutdown with auto restart  
Over-current protection  
S
D
D
IN  
Top view  
Input Protection (ESD)  
High continuous current rating  
Ordering information  
Device  
Part mark  
Reel size  
(inches)  
Tape width  
(mm)  
Quantity per reel  
3,000 units  
ZXMS66004DGTA  
ZXMS  
6004D  
7
12 embossed  
Issue 1 - December 2008  
© Diodes Incorporated, 2008  
1
www.zetex.com  
www.diodes.com  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ZXMS6004FFTA DIODES

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 		60V N-channel self protected enhancement mode Intellifet MOSFET
ZXMS6004N8 DIODES

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 		60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET
ZXMS6004N8-13 DIODES

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 		Power Field-Effect Transistor,
ZXMS6004N8Q DIODES

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 		60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET
ZXMS6004N8Q-13 DIODES

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 		Power Field-Effect Transistor,
ZXMS6004SG DIODES

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 		60V N-channel self protected enhancement mode
ZXMS6004SGQ DIODES

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 		60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET
ZXMS6004SGQTA DIODES

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ZXMS6005DG DIODES

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 		60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE
ZXMS6005DGQ DIODES

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 		60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE

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