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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 17 weeks |
| 风险等级： | 2.17 | Samacsys Confidence： | 3 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 1351032 |
| Samacsys Pin Count： | 8 | Samacsys Part Category： | Integrated Circuit |
| Samacsys Package Category： | Small Outline Packages | Samacsys Footprint Name： | ZXMS6005DT8TA |
| Samacsys Released Date： | 2019-03-05 11:05:25 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.0014 A | 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.13 W |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZXMS6005N8 | DIODES |
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60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET |
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| ZXMS6005N8-13 | DIODES |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| ZXMS6005N8Q | DIODES |
获取价格 |
60V N-CHANNEL SELF-PROTECTED ENHANCEMENT MODE LOW-SIDE IntelliFET |
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| ZXMS6005SG | DIODES |
获取价格 |
60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE |
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| ZXMS6005SGQ | DIODES |
获取价格 |
60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE IntelliFET MOSFET |
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| ZXMS6005SGQTA | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
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| ZXMS6005SGTA | DIODES |
获取价格 |
60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE |
|
| ZXMS6006DG | DIODES |
获取价格 |
60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET |
|
| ZXMS6006DGQ | DIODES |
获取价格 |
60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE IntelliFET MOSFET |
|
| ZXMS6006DGQ-13 | DIODES |
获取价格 |
60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET |
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