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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | TO-261AA, 4 PIN | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.27 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 550 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-261AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZXMS6003TA | ZETEX |
获取价格 |
Transistor |
|
| ZXMS6004DG | DIODES |
获取价格 |
60V N-channel self protected enhancement mode |
|
| ZXMS6004DGQ | DIODES |
获取价格 |
60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET |
|
| ZXMS6004DGQ-13 | DIODES |
获取价格 |
60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET |
|
| ZXMS6004DGQTA | DIODES |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| ZXMS6004DGTA | DIODES |
获取价格 |
MOSFETs INTELLIFET MOSFET 60V N CHAN |
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| ZXMS6004DN8 | DIODES |
获取价格 |
60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET |
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| ZXMS6004DN8-13 | DIODES |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.6ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
|
| ZXMS6004DN8Q | DIODES |
获取价格 |
60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET |
|
| ZXMS6004DT8 | DIODES |
获取价格 |
60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE |
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