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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-261AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | Factory Lead Time： | 17 weeks |
| 风险等级： | 1.67 | 雪崩能效等级（Eas）： | 550 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-261AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZXMS6003TA | ZETEX |
获取价格 |
Transistor |
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| ZXMS6004DG | DIODES |
获取价格 |
60V N-channel self protected enhancement mode |
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| ZXMS6004DGQ | DIODES |
获取价格 |
60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET |
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| ZXMS6004DGQ-13 | DIODES |
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60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET |
|
| ZXMS6004DGQTA | DIODES |
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Power Field-Effect Transistor, |
|
| ZXMS6004DGTA | DIODES |
获取价格 |
MOSFETs INTELLIFET MOSFET 60V N CHAN |
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| ZXMS6004DN8 | DIODES |
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60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET |
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| ZXMS6004DN8-13 | DIODES |
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Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.6ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
|
| ZXMS6004DN8Q | DIODES |
获取价格 |
60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET |
|
| ZXMS6004DT8 | DIODES |
获取价格 |
60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE |
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