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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> ZXMN10A08DN8TC
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ZXMN10A08DN8TC

更新时间： 2024-12-03 07:42:35
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 177K
描述
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMN10A08DN8TC 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.19
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.1 A
最大漏极电流 (ID)：2.1 A最大漏源导通电阻：0.25 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：9 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

ZXMN10A08DN8TC 数据手册

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ZXMN10A08DN8  
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
SUMMARY  
= 100V; R  
V
= 0.25 I = 2.1A  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
DESCRIPTION  
This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure  
that com bines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This  
m akes them ideal for high efficiency, low voltage, power m anagem ent  
applications.  
SO8  
FEATURES  
•
•
•
•
•
Low on-resistance  
Fast switching speed  
Low threshold  
Low gate drive  
Low profile SOIC package  
APPLICATIONS  
•
•
•
•
DC - DC converters  
Power m anagem ent functions  
Disconnect switches  
Motor control  
PINOUT  
ORDERING INFORMATION  
DEVICE  
REEL  
SIZE  
TAPE  
WIDTH  
QUANTITY  
PER REEL  
ZXMN10A08DN8TA  
ZXMN10A08DN8TC  
7”  
12m m  
12m m  
500 units  
13”  
2,500 units  
DEVICE MARKING  
Top View  
•
ZXMN  
10A08D  
ISSUE 4 - J ANUARY 2005  
1
S E M IC O N D U C T O R S  
1234567

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