5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 17 weeks | 风险等级： | 1.1 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.085 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 4.3 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 27 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZXMN10A11G | ZETEX |
获取价格 |
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| ZXMN10A11G | DIODES |
获取价格 |
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| ZXMN10A11G_04 | ZETEX |
获取价格 |
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| ZXMN10A11GFTA | ZETEX |
获取价格 |
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| ZXMN10A11GFTC | ZETEX |
获取价格 |
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| ZXMN10A11GTA | ZETEX |
获取价格 |
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| ZXMN10A11GTA | DIODES |
获取价格 |
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| ZXMN10A11GTC | ZETEX |
获取价格 |
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| ZXMN10A11K | ZETEX |
获取价格 |
100V DPAK N-channel enhancement mode MOSFET |
|
| ZXMN10A11K | DIODES |
获取价格 |
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
