是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 15 weeks |
风险等级: | 1 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.4 A | 最大漏极电流 (ID): | 1.9 A |
最大漏源导通电阻: | 0.6 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 3.9 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ZXMN10A11GTC | ZETEX |
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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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ZXMN10A11K | ZETEX |
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100V DPAK N-channel enhancement mode MOSFET |
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ZXMN10A11K | DIODES |
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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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ZXMN10A11K | HOTTECH |
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TO-252 |
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ZXMN10A11KTC | DIODES |
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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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ZXMN10A11KTC | ZETEX |
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100V DPAK N-channel enhancement mode MOSFET |
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ZXMN10A25G | ZETEX |
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100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET |
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ZXMN10A25G | DIODES |
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100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET |
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ZXMN10A25GTA | DIODES |
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100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET |
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ZXMN10A25GTA | ZETEX |
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100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET |
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