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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 17 weeks | 风险等级： | 1.38 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 6.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| ZXMN10A08E6TC | DIODES |
类似代替  |
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZXMN10A08E6TC | DIODES |
获取价格 |
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZXMN10A08E6TC | ZETEX |
获取价格 |
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZXMN10A08G | ZETEX |
获取价格 |
100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET |
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| ZXMN10A08G | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZXMN10A08G (KXMN10A08G) | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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| ZXMN10A08GTA | ZETEX |
获取价格 |
100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET |
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| ZXMN10A09K | ZETEX |
获取价格 |
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN DPAK |
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| ZXMN10A09K | DIODES |
获取价格 |
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| ZXMN10A09K | HOTTECH |
获取价格 |
TO-252 |
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| ZXMN10A09KTC | DIODES |
获取价格 |
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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