是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | SOT-23, 6 PIN | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.11 |
Is Samacsys: | N | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1.21 A |
最大漏极电流 (ID): | 1.5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.25 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1.7 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ZXMN10A08E6TC | DIODES |
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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
ZXMN10A08E6TC | ZETEX |
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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
ZXMN10A08G | ZETEX |
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100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET | |
ZXMN10A08G | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
ZXMN10A08G (KXMN10A08G) | KEXIN |
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N-Channel MOSFET | |
ZXMN10A08GTA | ZETEX |
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100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET | |
ZXMN10A09K | ZETEX |
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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN DPAK | |
ZXMN10A09K | DIODES |
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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
ZXMN10A09K | HOTTECH |
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TO-252 | |
ZXMN10A09KTC | DIODES |
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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |