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ZXMN10A09KTC

更新时间： 2024-10-29 22:11:31

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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7页	198K
描述
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN DPAK

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ZXMN10A09KTC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TO-252, DPAK-3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.27
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.7 A	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	0.085 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	4.3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	27 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZXMN10A09KTC 数据手册

ZXMN10A09K

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN DPAK

SUMMARY

=100V : R

=0.085 ; I =7.7A

(BR)DSS

DS(on)

DESCRIPTION

This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique

structure that com bines the benefits of low on-resistance with fast switching

speed. This m akes them ideal for high efficiency, low voltage power

m anagem ent applications.

FEATURES

DPAK

• Low on-resistance

• Fast switching speed

• Low gate drive

• D-Pak (T0-252) package

APPLICATIONS

• DC-DC Converters

• Power m anagem ent functions

• Disconnect switches

• Motor control

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL

SIZE

TAPE

WIDTH

QUANTITY PER

REEL

PINOUT

ZXMN10A09KTC

13”

16m m

2,500 units

DEVICE MARKING

• ZXMN

10A09K

TOP VIEW

ISSUE 6 - J ANUARY 2005

S E M IC O N D U C T O R S

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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ZXMN10A11G_04	ZETEX	获取价格	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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