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ZXMN10A11GTA

更新时间： 2025-01-16 03:52:27

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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描述
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMN10A11GTA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.09	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	1.9 A
最大漏源导通电阻：	0.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXMN10A11GTA 数据手册

ZXMN10A11G

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

(BR)DSS

= 100V; R

= 0.35

I = 2.4A

DS(ON)

DESCRIPTION

This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilises a unique structure

that com bines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This

m akes them ideal for high efficiency, low voltage, power m anagem ent applications.

FEATURES

• Low on-resistance

SOT223

• Fast switching speed

• Low threshold

• Low gate drive

• SOT223 package

APPLICATIONS

• DC - DC converters

• Power m anagem ent functions

• Relay and solenoid driving

• Motor control

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL

SIZE

TAPE

WIDTH

QUANTITY

PER REEL

PINOUT

ZXMN10A11GTA

ZXMN10A11GTC

7”

12m m

1000 units

4000 units

13”

DEVICE MARKING

• ZXMN

10A11

Top View

ISSUE 5 - DECEMBER 2004

S E M IC O N D U C T O R S

12 3 4 5 6 7

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