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ZXMN10A11GFTC

更新时间： 2024-10-13 22:11:31

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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7页	1175K
描述
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMN10A11GFTC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.12	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.3 A
最大漏极电流 (ID)：	1.3 A	最大漏源导通电阻：	0.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3.9 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXMN10A11GFTC 数据手册

ZXMN10A11G

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

(BR)DSS

= 100V; R

= 0.6 I = 1.8A

DS(ON) D

DESCRIPTION

This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilises a unique structure

that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This

makesthemidealforhighefficiency, lowvoltage, powermanagement applications.

FEATURES

SOT223

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low threshold

Low gate drive

SOT223 package

APPLICATIONS

•

DC - DC Converters

Power Management Functions

Relay and Solenoid driving

Motor control

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL

SIZE

TAPE

WIDTH

QUANTITY

PER REEL

ZXMN10A11GFTA

ZXMN10A11GFTC

7”

12mm

1000 units

4000 units

13”

DEVICE MARKING

•

ZXMN

10A11

Top View

ISSUE 1 - MARCH 2002

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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ZXMN10A11GTC	ZETEX	获取价格	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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