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ZXMN10A08E6TC

更新时间： 2024-10-13 22:11:31

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	1039K
描述
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMN10A08E6TC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SOT-23, 6 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.12
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.21 A
最大漏极电流 (ID)：	1.5 A	最大漏源导通电阻：	0.25 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.7 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXMN10A08E6TC 数据手册

ZXMN10A08E6

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

= 100V; R

= 0.4 I = 1.5A

DS(ON) D

(BR)DSS

DESCRIPTION

This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure

that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This

makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management

applications.

SOT23-6

FEATURES

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low threshold

Low gate drive

SOT23-6 package

APPLICATIONS

•

DC - DC Converters

Power Management Functions

Disconnect switches

Motor control

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL

SIZE

TAPE

WIDTH

QUANTITY

PER REEL

ZXMN10A08E6TA

ZXMN10A08E6TC

7”

8mm

3000 units

13”

10000 units

DEVICE MARKING

Top View

•

10A8

ISSUE 1 - MARCH 2002

12 3 4 5 6 7

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