是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOT |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 17 weeks | 风险等级: | 0.87 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.1 A | 最大漏极电流 (ID): | 2.1 A |
最大漏源导通电阻: | 0.25 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.8 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 9 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
ZXMN10A08DN8TC | DIODES |
类似代替 ![]() |
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ZXMN10A08DN8TC | DIODES |
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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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ZXMN10A08DN8TC | ZETEX |
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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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ZXMN10A08E6 | DIODES |
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ZXMN10A08E6 | ZETEX |
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ZXMN10A08E6_05 | ZETEX |
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ZXMN10A08E6QTA | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, |
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ZXMN10A08E6TA | ZETEX |
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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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ZXMN10A08E6TA | DIODES |
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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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ZXMN10A08E6TC | DIODES |
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ZXMN10A08E6TC | ZETEX |
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