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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> ZXMN10A08DN8TA
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ZXMN10A08DN8TA

更新时间： 2024-02-04 10:03:42
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 177K
描述
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMN10A08DN8TA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：17 weeks风险等级：0.87
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.1 A最大漏极电流 (ID)：2.1 A
最大漏源导通电阻：0.25 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.8 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：9 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

ZXMN10A08DN8TA 数据手册

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ZXMN10A08DN8  
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
SUMMARY  
= 100V; R  
V
= 0.25 I = 2.1A  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
DESCRIPTION  
This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure  
that com bines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This  
m akes them ideal for high efficiency, low voltage, power m anagem ent  
applications.  
SO8  
FEATURES  
•
•
•
•
•
Low on-resistance  
Fast switching speed  
Low threshold  
Low gate drive  
Low profile SOIC package  
APPLICATIONS  
•
•
•
•
DC - DC converters  
Power m anagem ent functions  
Disconnect switches  
Motor control  
PINOUT  
ORDERING INFORMATION  
DEVICE  
REEL  
SIZE  
TAPE  
WIDTH  
QUANTITY  
PER REEL  
ZXMN10A08DN8TA  
ZXMN10A08DN8TC  
7”  
12m m  
12m m  
500 units  
13”  
2,500 units  
DEVICE MARKING  
Top View  
•
ZXMN  
10A08D  
ISSUE 4 - J ANUARY 2005  
1
S E M IC O N D U C T O R S  
1234567

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