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ZXMN10A08G (KXMN10A08G)

更新时间： 2024-10-15 18:10:03

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N-Channel MOSFET

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SMD Type

MOSFET

N-Channel MOSFET

ZXMN10A08G (KXMN10A08G)

Unit:mm

SOT-223

6.50±0.2

3.00±0.1

■ Features

● V^{DS (V)}= 100V

● ID = 2.9 A (VGS = 10V)

● R^DS(ON)＜ 250mΩ (VGS = 10V)

● R^DS(ON)＜ 300mΩ (VGS = 6V)

0.250

2.30 (typ)

Gauge Plane

1.Gate

2.Drain

0.70±0.1

3.Source

4.60 (typ)

4.Drain

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

100

±20

2.9

2.3

Unit

Gate-Source Voltage

TA=25℃ (Note.1)

TA=70℃ (Note.1)

TA=25℃ (Note.2)

Continuous Drain Current @ V^GS= 10V

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

TA=25℃ (Note.2)

TA=25℃ (Note.1)

3.9

mW/℃

Linear derating factor

mW/℃

(Note.2)

(Note.1)

62.5

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

RthJA

℃/W

Junction Temperature

150

℃

Storage Temperature Range

stg

-55 to 150

Note.1: For a device surface mounted on FR4 PCB measured at t ≤ 10 sec.

Note.2: For a device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz

in still air conditions.

www.kexin.com.cn

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