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UPA2718GR-A

更新时间： 2024-09-15 20:51:55
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
7页 138K
描述
13A, 30V, 0.0145ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWER, SOP-8

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UPA2718GR-A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：POWER, SOP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.21雪崩能效等级（Eas）：16.9 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：13 A最大漏极电流 (ID)：13 A
最大漏源导通电阻：0.0145 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：130 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

UPA2718GR-A 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
µ PA2718GR  
SWITCHING  
P-CHANNEL POWER MOS FET  
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)  
DESCRIPTION  
The µ PA2718GR is P-Channel MOS Field Effect Transistor  
designed for power management applications of notebook  
computers and Li-ion battery protection circuit.  
8
5
1, 2, 3  
4
: Source  
: Gate  
5, 6, 7, 8 : Drain  
FEATURES  
• Low on-state resistance  
RDS(on)1 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −6.5 A)  
6.0 ±0.3  
4.4  
1
4
RDS(on)2 = 14.5 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −6.5 A)  
5.37 MAX.  
0.8  
• Low Ciss: Ciss = 2810 pF TYP.  
• Built-in gate protection diode  
• Small and surface mount package (Power SOP8)  
0.5 ±0.2  
ORDERING INFORMATION  
0.10  
1.27 0.78 MAX.  
+0.10  
–0.05  
PART NUMBER  
PACKAGE  
0.40  
0.12 M  
µ PA2718GR  
Power SOP8  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C, All terminals are connected.)  
Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)  
Gate to Source Voltage (VDS = 0 V)  
Drain Current (DC)  
VDSS  
VGSS  
ID(DC)  
ID(pulse)  
PT1  
PT2  
Tch  
Tstg  
IAS  
–30  
m20  
m13  
m130  
2
2
V
V
A
EQUIVALENT CIRCUIT  
Drain Current (pulse) Note1  
Drain  
A
Note2  
Total Power Dissipation  
Total Power Dissipation  
W
W
°C  
°C  
A
Note3  
Body  
Diode  
Gate  
Channel Temperature  
150  
–55 to +150  
−13  
Storage Temperature  
Gate  
Single Avalanche Current Note4  
Single Avalanche Energy Note4  
Protection  
Diode  
Source  
EAS  
16.9  
mJ  
Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%  
2. Mounted on ceramic substrate of 1200 mm2 x 2.2 mm  
3. Mounted on glass epoxy board of 25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mm, PW = 10 sec  
4. Starting Tch = 25°C, VDD = –15 V, RG = 25 Ω, L = 100 µH, VGS = –20 → 0 V  
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.  
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding  
the rated voltage may be applied to this device.  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics  
sales representative for availability and additional information.  
Document No. G16952EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published July 2004 NS CP(K)  
Printed in Japan  
2004  
1234567

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 		暂无描述
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