5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > UPA2718GR
UPA2718GR PDF预览

UPA2718GR

更新时间： 2024-09-14 22:38:43
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 开关
页数 文件大小 规格书
7页 138K
描述
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

UPA2718GR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.31
雪崩能效等级（Eas）：16.9 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：13 A
最大漏源导通电阻：0.0145 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：130 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

UPA2718GR 数据手册

 浏览型号UPA2718GR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UPA2718GR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号UPA2718GR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号UPA2718GR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号UPA2718GR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号UPA2718GR的Datasheet PDF文件第7页 
DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
µ PA2718GR  
SWITCHING  
P-CHANNEL POWER MOS FET  
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)  
DESCRIPTION  
The µ PA2718GR is P-Channel MOS Field Effect Transistor  
designed for power management applications of notebook  
computers and Li-ion battery protection circuit.  
8
5
1, 2, 3  
4
: Source  
: Gate  
5, 6, 7, 8 : Drain  
FEATURES  
• Low on-state resistance  
RDS(on)1 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −6.5 A)  
6.0 ±0.3  
4.4  
1
4
RDS(on)2 = 14.5 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −6.5 A)  
5.37 MAX.  
0.8  
• Low Ciss: Ciss = 2810 pF TYP.  
• Built-in gate protection diode  
• Small and surface mount package (Power SOP8)  
0.5 ±0.2  
ORDERING INFORMATION  
0.10  
1.27 0.78 MAX.  
+0.10  
–0.05  
PART NUMBER  
PACKAGE  
0.40  
0.12 M  
µ PA2718GR  
Power SOP8  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C, All terminals are connected.)  
Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)  
Gate to Source Voltage (VDS = 0 V)  
Drain Current (DC)  
VDSS  
VGSS  
ID(DC)  
ID(pulse)  
PT1  
PT2  
Tch  
Tstg  
IAS  
–30  
m20  
m13  
m130  
2
2
V
V
A
EQUIVALENT CIRCUIT  
Drain Current (pulse) Note1  
Drain  
A
Note2  
Total Power Dissipation  
Total Power Dissipation  
W
W
°C  
°C  
A
Note3  
Body  
Diode  
Gate  
Channel Temperature  
150  
–55 to +150  
−13  
Storage Temperature  
Gate  
Single Avalanche Current Note4  
Single Avalanche Energy Note4  
Protection  
Diode  
Source  
EAS  
16.9  
mJ  
Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%  
2. Mounted on ceramic substrate of 1200 mm2 x 2.2 mm  
3. Mounted on glass epoxy board of 25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mm, PW = 10 sec  
4. Starting Tch = 25°C, VDD = –15 V, RG = 25 Ω, L = 100 µH, VGS = –20 → 0 V  
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.  
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding  
the rated voltage may be applied to this device.  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics  
sales representative for availability and additional information.  
Document No. G16952EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published July 2004 NS CP(K)  
Printed in Japan  
2004  
1234567

中文翻译

下载PDF

与UPA2718GR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UPA2718GR-A RENESAS

获取价格

 		13A, 30V, 0.0145ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWER, SOP-8
UPA2718GR-E1 RENESAS

获取价格

 		UPA2718GR-E1
UPA2719AGR-E1-AT RENESAS

获取价格

 		UPA2719AGR-E1-AT
UPA2719GR NEC

获取价格

 		SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2719GR-A NEC

获取价格

 		暂无描述
UPA2719GR-E1 RENESAS

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,10A I(D),SO
UPA2719GR-E2 RENESAS

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,10A I(D),SO
UPA2720AGR-E1-AT RENESAS

获取价格

 		14A, 30V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8
UPA2720AGR-E2-AT RENESAS

获取价格

 		14A, 30V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8
UPA2720GR-E1-A NEC

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

与UPA2718GR相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证