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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | VSOF |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.44 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 12 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 7.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F8 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPA2211T1M-T2-AT | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 12V, 0.025ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| UPA2350BT1G-E4-A | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FE |
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| UPA2350BT1P-E4-A | RENESAS |
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UPA2350BT1P-E4-A |
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| UPA2350T1G-E4-A | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FE |
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| UPA2350T1P | RENESAS |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| UPA2351T1G-E4-A | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FE |
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| UPA2352BT1G-E4-A | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semicondu |
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| UPA2352BT1P-E4-A | RENESAS |
获取价格 |
UPA2352BT1P-E4-A |
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| UPA2352T1G-E4-A | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semicondu |
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| UPA2352T1P-E4-A | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semicondu |
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