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UPA2352BT1P-E4-A

更新时间： 2024-09-15 19:44:19

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UPA2352BT1P-E4-A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	EFLIP(LGA)
包装说明：	GRID ARRAY, S-PBGA-B4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
配置：	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PBGA-B4	元件数量：	2
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.75 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	BALL	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

To our customers,

Old Company Name in Catalogs and Other Documents

On April 1^st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology

Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both

companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid

Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Renesas Electronics website: http://www.renesas.com

April 1^st, 2010

Renesas Electronics Corporation

Issued by: Renesas Electronics Corporation (http://www.renesas.com)

Send any inquiries to http://www.renesas.com/inquiry.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA2352T1G-E4-A	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semicondu
UPA2352T1P-E4-A	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semicondu
UPA2353	RENESAS	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
UPA2353T1G-E4-A	RENESAS	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
UPA2353T1P-E4-A	RENESAS	获取价格	POWER, FET
UPA2354	RENESAS	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
UPA2354T1G-E4-A	RENESAS	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
UPA2373T1P	RENESAS	获取价格	Dual Drain common, N-channel MOSFET 24V, 6A, 23.0m
UPA2373T1P-E4-A	RENESAS	获取价格	Dual Drain common, N-channel MOSFET 24V, 6A, 23.0m
UPA2450	NEC	获取价格	N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING