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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | 2-6J1B, 8 PIN |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 219 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 13 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.017 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 52 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TPC8009-H | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (High speed U-MOSIII) |
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| TPC8009-H_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
High-Efficiency DC/DC Converter Applications Notebook PC Applications Portable-Equipment A |
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| TPC-800-XS | TOPPOWER |
获取价格 |
792W wide input AC/DC switching power supply |
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| TPC8010-H | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (High speed U-MOSIII) |
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| TPC8010-H(TE12L,Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
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| TPC8012-H | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Regulator Applications Switching Regulator Applications |
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| TPC8012-H_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Regulator Applications Switching Regulator Applications |
|
| TPC8013-H | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS Type (High speed U-MOS III) |
|
| TPC8013-H_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
High-Efficiency DC/DC Converter Applications Notebook PC Applications Portable-Equipment A |
|
| TPC8014 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III) |
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