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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOJ | 包装说明： | SOJ, |
| 针数： | 36 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 6 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J36 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 23.5 mm | 内存密度： | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 36 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX8 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.7 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TC55BS8125J-10 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 5 ns, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36, Static RAM |
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| TC55BS8125J-12 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 6 ns, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36, Static RAM |
|
| TC55BS8128J-10 | TOSHIBA |
获取价格 |
131072 WORD X 8 BIT SYNCHRONOUS STATIC RAM |
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| TC55BS8128J-12 | TOSHIBA |
获取价格 |
131072 WORD X 8 BIT SYNCHRONOUS STATIC RAM |
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| TC55NEM208A | TOSHIBA |
获取价格 |
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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| TC55NEM208AFGN70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32, 0.525 INCH, 1.27 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, S |
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| TC55NEM208AFGV70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 512K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO32, 0.525 INCH, 1.27 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, |
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| TC55NEM208AFPN | TOSHIBA |
获取价格 |
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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| TC55NEM208AFPN55 | TOSHIBA |
获取价格 |
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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| TC55NEM208AFPN70 | TOSHIBA |
获取价格 |
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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