5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > TC55NEM216AFTN70
TC55NEM216AFTN70 PDF预览

TC55NEM216AFTN70

更新时间： 2024-02-19 07:49:20
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅
页数 文件大小 规格书
11页 181K
描述
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

阅读下载

中文翻译

获取价格

TC55NEM216AFTN70 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：54Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.85最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G54
长度：22.22 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：54
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP54,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.000003 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.035 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

TC55NEM216AFTN70 数据手册

 浏览型号TC55NEM216AFTN70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TC55NEM216AFTN70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TC55NEM216AFTN70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TC55NEM216AFTN70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TC55NEM216AFTN70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TC55NEM216AFTN70的Datasheet PDF文件第7页 
TC55NEM216AFTN55,70  
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS  
262,144-WORD BY 16-BIT FULL CMOS STATIC RAM  
DESCRIPTION  
The TC55NEM216AFTN is a 4,194,304-bit static random access memory (SRAM) organized as 262,144 words by  
16 bits. Fabricated using Toshiba's CMOS Silicon gate process technology, this device operates from a single 5V  
10% power supply. Advanced circuit technology provides both high speed and low power at an operating current of 3  
mA/MHz (typ) and a minimum cycle time of 55 ns. It is automatically placed in low-power mode at 1 µA standby  
current (typ) when chip enable (CE ) is asserted high. There are two control inputs. CE is used to select the device  
and for data retention control, and output enable (OE ) provides fast memory access. Data byte control pin ( LB ,  
UB ) provides lower and upper byte access. This device is well suited to various microprocessor system applications  
where high speed, low power and battery backup are required. And, with a guaranteed operating extreme  
temperature range of −40° to 85°C, the TC55NEM216AFTN can be used in environments exhibiting extreme  
temperature conditions. The TC55NEM216AFTN is available in a plastic 54-pin thin-small-outline package  
(TSOP).  
FEATURES  
•
Low-power dissipation  
•
Access Times (maximum):  
Operating: 15 mW/MHz (typical)  
TC55NEM216AFTN  
•
•
•
•
•
•
Single power supply voltage of 5 V 10%  
Power down features using CE  
55  
70  
Data retention supply voltage of 2.0 to 5.5 V  
Direct TTL compatibility for all inputs and outputs  
Wide operating temperature range of −40° to 85°C  
Standby Current (maximum): 20 µA  
Access Time  
55 ns  
55 ns  
30 ns  
70 ns  
70 ns  
35 ns  
CE Access Time  
OE Access Time  
•
Package:  
TSOP II54-P-400-0.80  
(Weight:  
g typ)  
PIN ASSIGNMENT (TOP VIEW)  
54 PIN TSOP  
PIN NAMES  
A0~A17  
CE  
Address Inputs  
Chip Enable  
NC  
A3  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
54 A4  
53 A5  
A2  
52 A6  
51 A7  
A1  
A0  
R/W  
Read/Write Control  
Output Enable  
50 NC  
49 I/O1  
48 I/O2  
47 VDD  
46 GND  
45 I/O3  
44 I/O4  
I/O16  
I/O15  
VDD  
OE  
GND  
LB , UB  
Data Byte Control  
I/O14 10  
I/O13 11  
I/O1~I/O16 Data Inputs/Outputs  
12  
13  
43  
42  
UB  
CE  
LB  
OE  
V
Power (+5 V)  
Ground  
DD  
OP 14  
R/W 15  
I/O12 16  
I/O11 17  
GND 18  
VDD 19  
41 OP  
40 NC  
39 I/O5  
38 I/O6  
37 GND  
36 VDD  
35 I/O7  
34 I/O8  
33 A8  
GND  
NC  
No Connection  
Option  
I/O10 20  
I/O9 21  
NC 22  
A17 23  
A16 24  
A15 25  
A14 26  
A13 27  
OP*  
*: OP pin must be open or connected to GND.  
32 A9  
31 A10  
30 A11  
29 A12  
28 NC  
2002-07-04 1/11  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

TC55NEM216AFTN70 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KM6164000BLT-7L SAMSUNG

功能相似

 256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM

与TC55NEM216AFTN70相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TC55NEM216ASGV55 TOSHIBA

获取价格

 		IC 256K X 16 STANDARD SRAM, 85 ns, PDSO44, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC,
TC55NEM216ASTV55 TOSHIBA

获取价格

 		TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC55NEM216ASTV70 TOSHIBA

获取价格

 		TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC55NEM216ATGN70 TOSHIBA

获取价格

 		IC 256K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO54, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC,
TC55RP1101ECB713 MICROCHIP

获取价格

 		1レA LOW DROPOUT POSITIVE VOLTAGE REGULATOR
TC55RP1101ECB723 MICROCHIP

获取价格

 		1レA LOW DROPOUT POSITIVE VOLTAGE REGULATOR
TC55RP1101ECBRT MICROCHIP

获取价格

 		1レA LOW DROPOUT POSITIVE VOLTAGE REGULATOR
TC55RP1101ECBTR MICROCHIP

获取价格

 		1レA LOW DROPOUT POSITIVE VOLTAGE REGULATOR
TC55RP1101EMB713 MICROCHIP

获取价格

 		1レA LOW DROPOUT POSITIVE VOLTAGE REGULATOR
TC55RP1101EMB723 MICROCHIP

获取价格

 		1レA LOW DROPOUT POSITIVE VOLTAGE REGULATOR

与TC55NEM216AFTN70相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证