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TC55NEM208ATGN55

更新时间： 2024-11-21 21:09:51

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	212K
描述
IC 512K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO32, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-32, Static RAM

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TC55NEM208ATGN55 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP32,.46	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.83
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	长度：	20.95 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP32,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.000002 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.035 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

TC55NEM208ATGN55 数据手册

TC55NEM208AFGV/ATGV55,70

TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

Lead-Free

524,288-WORD BY 8-BIT STATIC RAM

DESCRIPTION

The TC55NEM208AFGV/ATGV is a 4,194,304-bit static random access memory (SRAM) organized as 524,288

words by 8 bits. Fabricated using Toshiba's CMOS Silicon gate process technology, this device operates from a

single 2.7 to 5.5 V power supply. Advanced circuit technology provides both high speed and low power at an

operating current of 3 mA/MHz (typ) and a minimum cycle time of 55 ns. It is automatically placed in low-power

mode at 1.8 µA standby current (typ) when chip enable ( CE ) is asserted high. There are two control inputs. CE is

used to select the device and for data retention control, and output enable (OE ) provides fast memory access. This

device is well suited to various microprocessor system applications where high speed, low power and battery

backup are required. And, with a guaranteed operating range of −40° to 85°C, the TC55NEM208AFGV/ATGV can

be used in environments exhibiting extreme temperature conditions. The TC55NEM208AFGV/ATGV is available in

a standard plastic 32-pin small-outline package (SOP) and plastic 32-pin thin-small-outline package (TSOP).

FEATURES

•

Access Times (maximum):

5 V ± 10%

•

Low-power dissipation

Operating: 15 mW/MHz (typical)

2.7 V~5.5 V

55 70

•

Single power supply voltage of 2.7 to 5.5 V

Power down features using CE .

Data retention supply voltage of 2.0 to 5.5 V

Direct TTL compatibility for all inputs and outputs

Wide operating temperature range of −40° to 85°C

Standby Current (maximum):20 µA

Access Time

CE Access Time

OE Access Time

Package:

55 ns 70 ns 85 ns 100 ns

30 ns 35 ns 60 ns 70 ns

•

SOP32-P-525-1.27 (AFGV)

TSOP II32-P-400-1.27 (ATGV) (Weight:0.52 g typ)

(Weight:1.12 g typ)

Lead-Free

PIN ASSIGNMENT (TOP VIEW)

PIN NAMES

32 PIN SOP & TSOP

A0~A18

R/W

Address Inputs

Read/Write Control

Output Enable

Chip Enable

A18

A16

A14

A12

32 VDD

31 A15

30 A17

29 R/W

28 A13

27 A8

I/O1~I/O8

Data Inputs/Outputs

Power

26 A9

25 A11

24 OE

23 A10

GND

Ground

A2 10

A1 11

A0 12

21 I/O8

20 I/O7

19 I/O6

18 I/O5

17 I/O4

I/O1 13

I/O2 14

I/O3 15

GND 16

(AFGV/ATGV)

2004-10-14 1/11

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TC55NEM208ATGN70	TOSHIBA	获取价格	IC 512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, T
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TC55NEM216AFTN55	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC55NEM216AFTN70	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
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