生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2, TSOP44,.46,32 | 针数: | 44 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.83 |
最长访问时间: | 85 ns | 其他特性: | IT ALSO OPERATES WITH 4.5V TO 5.5V; ACCESS TIME=55NS |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 |
长度: | 18.41 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 44 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256KX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装等效代码: | TSOP44,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 3/5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.000003 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.035 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TC55NEM216ASTV55 | TOSHIBA |
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TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS | |
TC55NEM216ASTV70 | TOSHIBA |
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TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS | |
TC55NEM216ATGN70 | TOSHIBA |
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IC 256K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO54, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, | |
TC55RP1101ECB713 | MICROCHIP |
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1レA LOW DROPOUT POSITIVE VOLTAGE REGULATOR | |
TC55RP1101ECB723 | MICROCHIP |
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1レA LOW DROPOUT POSITIVE VOLTAGE REGULATOR | |
TC55RP1101ECBRT | MICROCHIP |
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1レA LOW DROPOUT POSITIVE VOLTAGE REGULATOR | |
TC55RP1101ECBTR | MICROCHIP |
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1レA LOW DROPOUT POSITIVE VOLTAGE REGULATOR | |
TC55RP1101EMB713 | MICROCHIP |
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1レA LOW DROPOUT POSITIVE VOLTAGE REGULATOR | |
TC55RP1101EMB723 | MICROCHIP |
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1レA LOW DROPOUT POSITIVE VOLTAGE REGULATOR | |
TC55RP1101EMBRT | MICROCHIP |
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1レA LOW DROPOUT POSITIVE VOLTAGE REGULATOR |