5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > TC55NEM208AFGV70
TC55NEM208AFGV70 PDF预览

TC55NEM208AFGV70

更新时间： 2024-02-09 10:28:05
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 216K
描述
IC 512K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO32, 0.525 INCH, 1.27 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-32, Static RAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

TC55NEM208AFGV70 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP32,.56
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.8最长访问时间：100 ns
其他特性：IT ALSO OPERATES WITH 4.5V TO 5.5V; ACCESS TIME=70NSI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G32长度：20.6 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP32,.56封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.8 mm
最大待机电流：0.000003 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.7 mmBase Number Matches：1

TC55NEM208AFGV70 数据手册

 浏览型号TC55NEM208AFGV70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TC55NEM208AFGV70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TC55NEM208AFGV70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TC55NEM208AFGV70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TC55NEM208AFGV70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TC55NEM208AFGV70的Datasheet PDF文件第7页 
TC55NEM208AFGV/ATGV55,70  
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS  
Lead-Free  
524,288-WORD BY 8-BIT STATIC RAM  
DESCRIPTION  
The TC55NEM208AFGV/ATGV is a 4,194,304-bit static random access memory (SRAM) organized as 524,288  
words by 8 bits. Fabricated using Toshiba's CMOS Silicon gate process technology, this device operates from a  
single 2.7 to 5.5 V power supply. Advanced circuit technology provides both high speed and low power at an  
operating current of 3 mA/MHz (typ) and a minimum cycle time of 55 ns. It is automatically placed in low-power  
mode at 1.8 µA standby current (typ) when chip enable ( CE ) is asserted high. There are two control inputs. CE is  
used to select the device and for data retention control, and output enable (OE ) provides fast memory access. This  
device is well suited to various microprocessor system applications where high speed, low power and battery  
backup are required. And, with a guaranteed operating range of −40° to 85°C, the TC55NEM208AFGV/ATGV can  
be used in environments exhibiting extreme temperature conditions. The TC55NEM208AFGV/ATGV is available in  
a standard plastic 32-pin small-outline package (SOP) and plastic 32-pin thin-small-outline package (TSOP).  
FEATURES  
•
Access Times (maximum):  
5 V ± 10%  
•
Low-power dissipation  
Operating: 15 mW/MHz (typical)  
2.7 V~5.5 V  
55 70  
•
•
•
•
•
•
Single power supply voltage of 2.7 to 5.5 V  
Power down features using CE .  
Data retention supply voltage of 2.0 to 5.5 V  
Direct TTL compatibility for all inputs and outputs  
Wide operating temperature range of −40° to 85°C  
Standby Current (maximum):20 µA  
55  
70  
Access Time  
CE Access Time  
OE Access Time  
Package:  
55 ns 70 ns 85 ns 100 ns  
55 ns 70 ns 85 ns 100 ns  
30 ns 35 ns 60 ns 70 ns  
•
•
SOP32-P-525-1.27 (AFGV)  
TSOP II32-P-400-1.27 (ATGV) (Weight:0.52 g typ)  
(Weight:1.12 g typ)  
Lead-Free  
PIN ASSIGNMENT (TOP VIEW)  
PIN NAMES  
32 PIN SOP & TSOP  
A0~A18  
R/W  
Address Inputs  
Read/Write Control  
Output Enable  
Chip Enable  
A18  
A16  
A14  
A12  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32 VDD  
31 A15  
30 A17  
29 R/W  
28 A13  
27 A8  
OE  
CE  
I/O1~I/O8  
Data Inputs/Outputs  
Power  
26 A9  
25 A11  
24 OE  
23 A10  
V
DD  
GND  
Ground  
A2 10  
A1 11  
22  
CE  
A0 12  
21 I/O8  
20 I/O7  
19 I/O6  
18 I/O5  
17 I/O4  
I/O1 13  
I/O2 14  
I/O3 15  
GND 16  
(AFGV/ATGV)  
2004-10-14 1/11  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

与TC55NEM208AFGV70相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TC55NEM208AFPN TOSHIBA

获取价格

 		TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC55NEM208AFPN55 TOSHIBA

获取价格

 		TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC55NEM208AFPN70 TOSHIBA

获取价格

 		TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC55NEM208AFPV TOSHIBA

获取价格

 		524,288-WORD BY 8-BIT STATIC RAM
TC55NEM208AFPV55 TOSHIBA

获取价格

 		524,288-WORD BY 8-BIT STATIC RAM
TC55NEM208AFPV70 TOSHIBA

获取价格

 		524,288-WORD BY 8-BIT STATIC RAM
TC55NEM208AFTN TOSHIBA

获取价格

 		TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC55NEM208AFTN55 TOSHIBA

获取价格

 		TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC55NEM208AFTN70 TOSHIBA

获取价格

 		TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC55NEM208AFTV55 TOSHIBA

获取价格

 		524,288-WORD BY 8-BIT STATIC RAM

与TC55NEM208AFGV70相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证