Datasheet > 存储 > SRAM> TC55NEM208AFTN70

TC55NEM208AFTN70

更新时间： 2024-09-27 22:19:27

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		存储内存集成电路静态存储器光电二极管栅
页数	文件大小	规格书
10页	109K
描述
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TC55NEM208AFTN70 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP32,.46
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.86	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	长度：	20.95 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP32,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.000003 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.035 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

TC55NEM208AFTN70 数据手册

TC55NEM208AFPN/AFTN55,70

TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

524,288-WORD BY 8-BIT STATIC RAM

DESCRIPTION

The TC55NEM208AFPN/AFTN is a 4,194,304-bit static random access memory (SRAM) organized as 524,288

words by 8 bits. Fabricated using Toshiba's CMOS Silicon gate process technology, this device operates from a

single 5V ± 10% power supply. Advanced circuit technology provides both high speed and low power at an operating

current of 3 mA/MHz (typ) and a minimum cycle time of 55 ns. It is automatically placed in low-power mode at 1 µA

standby current (typ) when chip enable (CE ) is asserted high. There are two control inputs. CE is used to select

the device and for data retention control, and output enable ( OE ) provides fast memory access. This device is well

suited to various microprocessor system applications where high speed, low power and battery backup are required.

And, with a guaranteed operating range of −40° to 85°C, the TC55NEM208AFPN/AFTN can be used in

environments exhibiting extreme temperature conditions. The TC55NEM208AFPN/AFTN is available in a

standard plastic 32-pin small-outline package (SOP) and normal and reverse pinout plastic 32-pin

thin-small-outline package (TSOP).

FEATURES

•

Access Times (maximum):

TC55NEM208AFPN/AFTN

•

Low-power dissipation

Operating: 15 mW/MHz (typical)

•

Single power supply voltage of 5 V ± 10%

Power down features using CE .

Data retention supply voltage of 2.0 to 5.5 V

Direct TTL compatibility for all inputs and outputs

Wide operating temperature range of −40° to 85°C

Standby Current (maximum):20 µA

Access Time

CE Access Time

OE Access Time

Package:

55 ns

30 ns

70 ns

35 ns

•

SOP32-P-525-1.27 (AFPN)

TSOP II32-P-400-1.27 (AFTN) (Weight:

(Weight:

g typ)

PIN ASSIGNMENT (TOP VIEW)

PIN NAMES

32 PIN SOP & TSOP

A0~A18

R/W

Address Inputs

Read/Write Control

Output Enable

Chip Enable

A18

A16

A14

A12

A2 10

A1 11

A0 12

I/O1 13

I/O2 14

I/O3 15

GND 16

32 VDD

31 A15

30 A17

29 R/W

28 A13

27 A8

I/O1~I/O8

Data Inputs/Outputs

Power (+5 V)

26 A9

25 A11

24 OE

23 A10

22 CE

21 I/O8

20 I/O7

19 I/O6

18 I/O5

17 I/O4

GND

Ground

(AFPN/AFTN)

2002-09-18 1/10

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与TC55NEM208AFTN70相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TC55NEM208AFTV55	TOSHIBA	获取价格	524,288-WORD BY 8-BIT STATIC RAM
TC55NEM208AFTV70	TOSHIBA	获取价格	524,288-WORD BY 8-BIT STATIC RAM
TC55NEM208ATGN55	TOSHIBA	获取价格	IC 512K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO32, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, T
TC55NEM208ATGN70	TOSHIBA	获取价格	IC 512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, T
TC55NEM208ATGV55	TOSHIBA	获取价格	IC 512K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDSO32, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, T
TC55NEM216AFTN55	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC55NEM216AFTN70	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC55NEM216ASGV55	TOSHIBA	获取价格	IC 256K X 16 STANDARD SRAM, 85 ns, PDSO44, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC,
TC55NEM216ASTV55	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC55NEM216ASTV70	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

与TC55NEM208AFTN70相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

22
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

18
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

20
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TC55NEM208AFTN70

TC55NEM208AFTN70 技术参数

TC55NEM208AFTN70 数据手册

与TC55NEM208AFTN70相关器件

与TC55NEM208AFTN70相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TC55NEM208AFTN70

TC55NEM208AFTN70 技术参数

TC55NEM208AFTN70 数据手册

与TC55NEM208AFTN70相关器件

与TC55NEM208AFTN70相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？