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TC55NEM216ASTV70 PDF预览

TC55NEM216ASTV70

更新时间： 2024-02-02 16:55:54
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路静态存储器光电二极管栅
页数 文件大小 规格书
12页 120K
描述
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

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TC55NEM216ASTV70 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2, TSOP44,.46,32针数：44
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.83
Is Samacsys：N最长访问时间：85 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G44
长度：18.41 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：44
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.000003 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

TC55NEM216ASTV70 数据手册

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TC55NEM216ASTV55,70  
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS  
262,144-WORD BY 16-BIT FULL CMOS STATIC RAM  
DESCRIPTION  
The TC55NEM216ASTV is a 4,194,304-bit static random access memory (SRAM) organized as 262,144 words by  
16 bits. Fabricated using Toshiba's CMOS Silicon gate process technology, this device operates from a single 2.7 to  
5.5 V power supply. Advanced circuit technology provides both high speed and low power at an operating current of  
3 mA/MHz (typ) and a minimum cycle time of 55 ns. It is automatically placed in low-power mode at 1 µA standby  
current (typ) when chip enable ( CE ) is asserted high or chip select (CS) is asserted low. There are three control  
inputs. CE is used to select the device and for data retention control, and output enable (OE ) provides fast  
memory access. Data byte control pin ( LB , UB ) provides lower and upper byte access. This device is well suited to  
various microprocessor system applications where high speed, low power and battery backup are required. And,  
with a guaranteed operating extreme temperature range of −40° to 85°C, the TC55NEM216ASTV can be used in  
environments exhibiting extreme temperature conditions. The TC55NEM216ASTV is available in a plastic 44-pin  
thin-small-outline package (TSOP).  
FEATURES  
•
Low-power dissipation  
•
Access Times (maximum):  
Operating: 15 mW/MHz (typical)  
Single power supply voltage of 2.7 to 5.5 V  
Power down features using CE  
TC55NEM216ASTV  
•
•
•
•
•
•
55  
70  
Data retention supply voltage of 2.0 to 5.5 V  
Direct TTL compatibility for all inputs and outputs  
Wide operating temperature range of −40° to 85°C  
Standby Current (maximum): 20 µA  
Access Time  
55 ns  
55 ns  
30 ns  
70 ns  
70 ns  
35 ns  
CE Access Time  
OE Access Time  
•
Package:  
TSOP II44-P-400-0.80  
(Weight:  
g typ)  
PIN ASSIGNMENT (TOP VIEW)  
44 PIN TSOP  
PIN NAMES  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
CE  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
I/O4 10  
VDD 11  
GND 12  
I/O5 13  
I/O6 14  
I/O7 15  
I/O8 16  
R/W 17  
A15 18  
A14 19  
A13 20  
A12 21  
A16 22  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
44 A5  
43 A6  
42 A7  
A0~A17  
CE  
Address Inputs  
Chip Enable  
Chip Select  
41  
40  
39  
OE  
UB  
LB  
CS  
38 I/O16  
37 I/O15  
36 I/O14  
35 I/O13  
34 GND  
33 VDD  
32 I/O12  
31 I/O11  
30 I/O10  
29 I/O9  
28 CS  
R/W  
Read/Write Control  
Output Enable  
OE  
LB , UB  
Data Byte Control  
I/O1~I/O16 Data Inputs/Outputs  
V
Power  
DD  
27 A8  
26 A9  
25 A10  
24 A11  
23 A17  
GND  
NC  
Ground  
No Connection  
2002-10-30 1/12  
1234567...12

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与TC55NEM216ASTV70相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TC55NEM216ATGN70 TOSHIBA

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 		IC 256K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO54, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC,
TC55RP1101ECB713 MICROCHIP

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