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TC55NEM208AFGN70

更新时间： 2024-11-21 20:10:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 204K
描述
IC 512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32, 0.525 INCH, 1.27 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-32, Static RAM

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TC55NEM208AFGN70 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP32,.56
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.8最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G32
长度：20.6 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP32,.56
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.8 mm最大待机电流：0.000002 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.035 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.7 mm
Base Number Matches：1

TC55NEM208AFGN70 数据手册

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TC55NEM208AFGN/ATGN55,70  
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS  
Lead-Free  
524,288-WORD BY 8-BIT STATIC RAM  
DESCRIPTION  
The TC55NEM208AFGN/ATGN is a 4,194,304-bit static random access memory (SRAM) organized as 524,288  
words by 8 bits. Fabricated using Toshiba's CMOS Silicon gate process technology, this device operates from a  
single 5V ± 10% power supply. Advanced circuit technology provides both high speed and low power at an operating  
current of 3 mA/MHz (typ) and a minimum cycle time of 55 ns. It is automatically placed in low-power mode at 1.8  
µA standby current (typ) when chip enable (CE ) is asserted high. There are two control inputs. CE is used to  
select the device and for data retention control, and output enable (OE ) provides fast memory access. This device is  
well suited to various microprocessor system applications where high speed, low power and battery backup are  
required. And, with a guaranteed operating range of −40° to 85°C, the TC55NEM208AFGN/ATGN can be used in  
environments exhibiting extreme temperature conditions. The TC55NEM208AFGN/ATGN is available in a  
standard plastic 32-pin small-outline package (SOP) and plastic 32-pin thin-small-outline package (TSOP).  
FEATURES  
•
Access Times (maximum):  
TC55NEM208AFGN/ATGN  
•
Low-power dissipation  
Operating: 15 mW/MHz (typical)  
•
•
•
•
•
•
Single power supply voltage of 5 V ± 10%  
Power down features using CE .  
Data retention supply voltage of 1.5 to 5.5 V  
Direct TTL compatibility for all inputs and outputs  
Wide operating temperature range of −40° to 85°C  
Standby Current (maximum):20 µA  
55  
70  
Access Time  
CE Access Time  
OE Access Time  
Package:  
55 ns  
55 ns  
30 ns  
70 ns  
70 ns  
35 ns  
•
•
SOP32-P-525-1.27 (AFGN)  
(Weight:1.12 g typ)  
TSOP II32-P-400-1.27 (ATGN) (Weight:0.52 g typ)  
Lead-Free  
PIN ASSIGNMENT (TOP VIEW)  
PIN NAMES  
32 PIN SOP & TSOP  
A0~A18  
R/W  
Address Inputs  
Read/Write Control  
Output Enable  
Chip Enable  
A18  
A16  
A14  
A12  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32 VDD  
31 A15  
30 A17  
29 R/W  
28 A13  
27 A8  
OE  
CE  
I/O1~I/O8  
Data Inputs/Outputs  
Power (+5 V)  
26 A9  
25 A11  
24 OE  
23 A10  
V
DD  
GND  
Ground  
A2 10  
A1 11  
22  
CE  
A0 12  
21 I/O8  
20 I/O7  
19 I/O6  
18 I/O5  
17 I/O4  
I/O1 13  
I/O2 14  
I/O3 15  
GND 16  
(AFGN/ATGN)  
2004-10-14 1/10  
1234567...10

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与TC55NEM208AFGN70相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TC55NEM208AFGV70 TOSHIBA

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 		IC 512K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO32, 0.525 INCH, 1.27 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC,
TC55NEM208AFPN TOSHIBA

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 		TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC55NEM208AFPN55 TOSHIBA

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 		TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC55NEM208AFPN70 TOSHIBA

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TC55NEM208AFPV TOSHIBA

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