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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOJ | 包装说明： | SOJ, |
| 针数： | 40 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.B | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 5 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-J40 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 26.04 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 40 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.7 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TC55BS8128J-12 | TOSHIBA |
获取价格 |
131072 WORD X 8 BIT SYNCHRONOUS STATIC RAM |
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| TC55NEM208A | TOSHIBA |
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TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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| TC55NEM208AFGN70 | TOSHIBA |
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IC 512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32, 0.525 INCH, 1.27 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, S |
|
| TC55NEM208AFGV70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 512K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO32, 0.525 INCH, 1.27 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, |
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| TC55NEM208AFPN | TOSHIBA |
获取价格 |
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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| TC55NEM208AFPN55 | TOSHIBA |
获取价格 |
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
|
| TC55NEM208AFPN70 | TOSHIBA |
获取价格 |
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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| TC55NEM208AFPV | TOSHIBA |
获取价格 |
524,288-WORD BY 8-BIT STATIC RAM |
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| TC55NEM208AFPV55 | TOSHIBA |
获取价格 |
524,288-WORD BY 8-BIT STATIC RAM |
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| TC55NEM208AFPV70 | TOSHIBA |
获取价格 |
524,288-WORD BY 8-BIT STATIC RAM |
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