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SVSP65R110P7HD4

更新时间： 2024-04-09 18:59:12

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士兰微 - SILAN		/
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14页	571K
描述
TO-247-3L

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SVSP65R110P7HD4 数据手册

士兰微电子

SVSP65R110P7(T)(S)(FJD)(L)HD4 说明书

35A，650V 超结 MOS功率管

描述

Tab

SVSP65R110P7(T)(S)(FJD)(L)HD4 N 沟道增强型高压功率

MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术制造，具有很低的传导损耗

和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVSP65R110P7(T)(S)(FJD)(L)HD4 应用广泛。如，适用于

硬/软开关拓扑。

pin1

Pin2-8

Pin1.栅极 Tab.漏极

pin2-8.源极

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点

TO-220FJD-3L

TO-263-2L



35A，650V，R_DS(on)(typ.)=90m@V_GS=10V

创新高压技术

低栅极电荷

较强的雪崩能力

较强的 dv/dt 能力

较高的峰值电流能力

100%雪崩测试

TO-220-3L

Tab

TO-247-3L

Tab

无铅管脚镀层

符合 RoHS 环保标准

TOLL-8L

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

650

单位

3.0~5.0

110

V_GS(th)

R_DS(on),max.

I_D.pulse

m

140

Q_g.typ.

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

P65R110P7

P65R110T

P65R110S

P65R110FJD

P65R110L

环保等级

无卤

包装方式

SVSP65R110P7HD4

SVSP65R110THD4

SVSP65R110SHD4

SVSP65R110SHD4TR

SVSP65R110FJDHD4

SVSP65R110LHD4TR

TO-247-3L

TO-220-3L

TO-263-2L

TO-220FJD-3L

TOLL-8L

料管

编带

料管

编带

无卤

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.2

共 14 页第 1 页

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