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SVT044R5NT

更新时间： 2024-11-20 15:17:55

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士兰微 - SILAN		/
页数	文件大小	规格书
8页	459K
描述
TO-220-3L

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SVT044R5NT 数据手册

士兰微电子

SVT044R5NT/D/L5 说明书

178A、40V N沟道增强型场效应管

描述

SVT044R5NT/D/L5 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士

兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较

低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

5 D

G 4

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



178A，40V 低栅极电荷量

低反向传输电容

TO-220-3L

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

PDFN-8-5X6X0.95-1.27

TO-252-2L

产品规格分类

产品名称

SVT044R5NT

封装形式

TO-220-3L

打印名称

044R5NT

044R5ND

044R5NL5

环保等级

无铅

包装方式

料管

SVT044R5NDTR

SVT044R5NL5TR

TO-252-2L

无卤

编带

PDFN-8-5X6X0.95-1.27

无卤

编带

极限参数(除非特殊说明，T_A=25C)

参数值

参数

符号

单位

SVT044R5NT

SVT044R5ND

SVT044R5NL5

漏源电压

栅源电压

V_DS

V_GS

±20

T_C=25°C

178

漏极电流

T_C=100°C

I_D

112

T_C=25°C (受限于封装)

160

128

105

漏极脉冲电流

I_DM

P_D

640

178

112

100

0.8

耗散功率（T_C=25C）

-大于 25C 每摄氏度减少

1.42

0.90

W/C

C

单脉冲雪崩能量（注 1）

工作结温范围

E_AS

T_J

612

-55～+150

贮存温度范围

T_stg

C

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.5

共 8 页第 1 页

http: //www.silan.com.cn

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SVT068R5ND	SILAN	获取价格	TO-252-2L
SVT068R5NL5	SILAN	获取价格	PDFN5*6
SVT068R5NT	SILAN	获取价格	TO-220-3L
SVT078R0ND	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:68V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
SVT078R0NT	SILAN	获取价格	TO-220-3L
SVT085R5NL5	SILAN	获取价格	PDFN5*6
SVT085R5NS	SILAN	获取价格	TO-263-2L
SVT085R5NT	SILAN	获取价格	TO-220-3L
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