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SVT035R5NL5

更新时间： 2024-11-20 15:18:55

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士兰微 - SILAN		光电二极管
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描述
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SVT035R5NL5 数据手册

士兰微电子

SVT035R5NL5 说明书

100A、30V N沟道增强型场效应管

描述

SVT035R5NL5 N沟道增强型功率 MOS场效应晶体管采用士兰的

LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的

导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

特点



100A，30V，R_DS(on)_{（典型值）}=4.0m@V_GS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

PDFN-8-5X6X0.95-1.27

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

包装方式

SVT035R5NL5TR

PDFN-8-5X6X0.95-1.27

035R5NL5

无卤

编带

极限参数（除非特殊说明，T_C=25C）

参数名称

漏源电压

符号

V_DS

V_GS

参数范围

单位

栅源电压

±20

T_C=25°C

100

漏极电流

I_D

T_C=100°C

漏极脉冲电流

I_DM

P_D

400

耗散功率（T_C=25C）

- 大于 25C 每摄氏度减少

0.53

W/C

C

单脉冲雪崩能量

工作结温范围

贮存温度范围

（注 1）

E_AS

T_J

200

-55～+150

T_stg

C

热阻特性

参数名称

符号

R_θJC

R_θJA

参数范围

1.9

单位

C/W

芯片对管壳热阻

芯片对环境的热阻

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.1

共 7 页第 1 页

http: //www.silan.com.cn

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