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SVT042R5NL5

更新时间: 2024-03-03 10:10:41
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士兰微 - SILAN 光电二极管
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8页 353K
描述
PDFN5*6

SVT042R5NL5 数据手册

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士兰微电子  
SVT042R5NL5(T)说明书  
240A40V N沟道增强型场效应管  
描述  
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S
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D
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8
7
6
SVT042R5NL5(T) N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士  
兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较  
低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。  
1
5 D  
G 4  
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。  
3
1.栅极 2.漏极 3.源极  
特点  
240A40V,低栅极电荷量  
低反向传输电容  
开关速度快  
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提升了 dv/dt 能力  
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PDFN-8-5X6X0.95-1.27  
TO-220-3L  
产品规格分类  
产品名称  
SVT042R5NL5TR  
SVT042R5NT  
封装形式  
PDFN-8-5X6X0.95-1.27  
TO-220-3L  
打印名称  
042R5NL5  
042R5NT  
环保等级  
无卤  
包装方式  
编带  
无铅  
料管  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号:1.5  
8 页 第 1 页  

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