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SVT035R5NMJ

更新时间： 2024-09-26 15:19:43

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士兰微 - SILAN		/
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9页	435K
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TO-251J-3L

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SVT035R5NMJ 数据手册

士兰微电子

SVT035R5ND(MJ)(T)说明书

100A、30V N沟道增强型场效应管

描述

SVT035R5ND(MJ)(T) N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用

士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有

较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

1.栅极 2.漏极 3.源极

TO-251J-3L

特点



100A，30V，R_DS(on)_{（典型值）}=4.0m@V_GS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

TO-252-2L

TO-220-3L

产品命名规则

X X X R X N X

S V T

公司代号

封装外形标识, 例如: T:TO-220;

D:TO-252; MJ:TO-251J;

士兰低压trench MOS产品

沟道极性标识：N代表N型，P代表P型

额定耐压值,采用2位数字；

例如:04代表 40V,10 代表 100V

电阻位：R75代表0.7毫欧；7R5代表7.5毫

欧；100代表10毫欧；101代表100毫欧。

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

无卤

包装

编带

料管

SVT035R5NDTR

TO-252-2L

TO-251J-3L

TO-220-3L

035R5ND

SVT035R5NMJ

SVT035R5NT

035R5NMJ

035R5NT

无卤

无铅

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.1

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