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SVT043R0NL5

更新时间： 2024-11-20 15:19:31

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士兰微 - SILAN		光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	352K
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SVT043R0NL5 数据手册

士兰微电子

SVT043R0NT/L5 说明书

180A、40V N沟道增强型场效应管

描述

SVT043R0NT/L5 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰

的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低

的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

5 D

G 4

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



180A，40V，R_DS(on)_{（典型值）}=2.6m@V_GS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

TO-220-3L

PDFN-8-5X6X0.95-1.27

产品规格分类

产品名称

SVT043R0NT

封装形式

TO-220-3L

打印名称

043R0NT

043R0NL5

环保等级

无铅

包装方式

料管

SVT043R0NL5TR

PDFN-8-5X6X0.95-1.27

无卤

编带

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.3

共 8 页第 1 页

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